Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC30D120E6X1SA2
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC30D120E6
SIDC30D120E6X1SA2 Hakkında
SIDC30D120E6X1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 1.2kV 35A kapasiteli bir amaç diyotudur. Surface Mount die paketi içinde sunulan bu standart diyot, 35A ortalama doğrultulmuş akım sağlar ve maksimum 1.2kV ters voltaj değerine dayanır. 1.9V ileri voltaj düşümü ile yüksek akım uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında güvenli bir şekilde çalışabilen bu bileşen, otonom anahtarlama devreleri, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü ve güç dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Diode Type olarak Standard olarak sınıflandırılan bu komponent, >500ns iyileştirme hızı özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 35A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 35 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok