Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC24D30SIC3
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC24D30SIC3
SIDC24D30SIC3 Hakkında
SIDC24D30SIC3, Infineon Technologies tarafından üretilen 300V 10A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. Wafer formunda sunulan bu bileşen, yüksek hız doğrultma uygulamalarında kullanılır. 1.7V forward voltage ile düşük gerilim düşüşü sağlar ve 0ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve diğer güç elektronik devrelerinde tercih edilir. Surface mount uygulamalar için uygun olup, 200µA reverse leakage current özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 600pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 300 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok