Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC23D120H8X1SA1
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC23D120H8
SIDC23D120H8X1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC23D120H8X1SA1, 1.2kV ters gerilim kapasitesi ve 35A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip genel amaçlı standart recovery diyotudur. Die paket formatında sunulan bu bileşen, 1.97V maksimum forward voltajında 35A akımı işleyebilmektedir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlayan bu diyot, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında doğrultma işlevinde kullanılır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve ağır yük doğrultma uygulamalarında tercih edilmektedir. Wafer montajlı yapısı, kompakt tasarımlara uyum sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 35A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.97 V @ 35 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok