Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC23D120H6X1SA1
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC23D120H6X1SA
SIDC23D120H6X1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC23D120H6X1SA1, 1.2kV yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış genel amaçlı doğrultucu diyottur. 35A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel doğrultma devrelerinde kullanılır. Die paketi içinde surface mount konfigürasyonunda sunulan komponent, 1.6V forward voltage ve 27µA reverse leakage karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu diyot, standart hızda iyileşme özellikleri ile RF ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Yüksek voltaj ve yüksek akım işlemleri gerektiren endüstriyel ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 35A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 35 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok