Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC19D60SIC3
DIODE SCHOTTKY 600V 6A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC19D60SIC3
SIDC19D60SIC3 Hakkında
SIDC19D60SIC3, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 600V ters gerilim derecelendirmesi ve 6A ortalama doğrultulmuş akımı ile tasarlanmıştır. Bu bileşen, düşük ileri gerilim düşüşü (1.7V @ 6A) ve sıfır reverse recovery time özelliği ile yüksek frekans uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Die formatında sunulan bu diyot, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, PFC (Power Factor Correction) uygulamaları ve yüksek frekanslı switcher devrelerde kullanılır. 300pF kapasitans değeri (1V, 1MHz) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok