Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

SIDC16D60SIC3

DIODE SCHOTTKY 600V 5A WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIDC16D60SIC3

SIDC16D60SIC3 Hakkında

SIDC16D60SIC3, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 600V reverse voltaj ve 5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu komponent, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Reverse recovery time'ı sıfır olması, anahtarlama kayıplarını minimuma indirerek enerji verimini artırır. Surface mount die paketinde sunulan bu diyot, güç dönüştürme devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), oto elektrik sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirir. 1.7V forward voltaj @ 5A ile düşük ısı kaybı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 170pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 5A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 µA @ 600 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case Die
Part Status Market
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package Sawn on foil
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 5 A

Kaynaklar

Datasheet

SIDC16D60SIC3 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok