Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC11D60SIC3
DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC11D60SIC3
SIDC11D60SIC3 Hakkında
SIDC11D60SIC3, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 4A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. Die formunda sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlemi gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 1.9V forward voltage ile 4A DC akımını destekleyen diyot, reverse recovery time'ı olmayan (0 ns) bir yapıya sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, 600V ters voltajda 200µA leak akımına maruz kalır. Surface mount uygulamalarda kullanılabilen SIDC11D60SIC3, güç kaynakları, invertör devreleri, hızlı anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltaj doğrultucı sistemlerinde tercih edilir. 150pF kapasitans değeri (1V, 1MHz'de) ile diyot, yüksek frekans devrelerde de uygun performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok