Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC110D170HX1SA2
DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC110D170HX1SA2
SIDC110D170HX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC110D170HX1SA2, 1.7 kV ters gerilim kapasitesine sahip endüstriyel amaçlı doğrultma diyotudur. 200 A ortalama doğrultulmuş akım (DC) ve 1.8 V maksimum ileri voltaj değerleriyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Standard recovery karakteristiğine sahip bu bileşen, 27 µA @ 1700 V ters kaçak akımı ile sınırlıdır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında elektrik güç dönüştürme, inverter devreleri ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir. Die paket tipinde surface mount olarak sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1700 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok