Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC105D120H8X1SA1
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC105D120H8
SIDC105D120H8X1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC105D120H8X1SA1, 1200V reverse voltage kapasitesine sahip Standard Recovery diyottur. 200A ortalama doğrultulmuş akım (DC) ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, genel amaçlı doğrultma ve güç elektronik devrelerinde tercih edilmektedir. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Forward voltajı 45A'da maksimum 1.41V, reverse leakage akımı 1200V'da 27µA'dır. Uygulamalar arasında AC/DC güç kaynakları, tiyristor sürücüleri ve ek korumalı doğrultma devreleri bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 200A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.41 V @ 45 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok