Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC09D60E6YX1SA1
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC09D60E6YX1SA
SIDC09D60E6YX1SA1 Hakkında
SIDC09D60E6YX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 20A genel amaçlı doğrultucu diyotudur. Fast recovery tipinde tasarlanmış bu bileşen, 150 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.7V forward voltage ve 27µA reverse leakage akımı özellikleri ile güç kaynakları, invertörler, DC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount wafer tipinde montajı sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 20A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok