Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC09D60E6X1SA1
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC09D60E6X1SA
SIDC09D60E6X1SA1 Hakkında
SIDC09D60E6X1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V, 20A kapasiteli genel amaçlı hızlı geri kazanımlı bir doğrultma diyotudur. Die (çip) paketi olarak sunulan bu komponent, 150 ns reverse recovery time ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde doğrultma işlevini gerçekleştirir. 1.7V forward voltage ve 27µA reverse leakage karakteristikleri ile enerji verimliliğine katkı sağlar. Surface mount yapısı ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 20A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok