Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC08D120H6X1SA1
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC08D120H6
SIDC08D120H6X1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC08D120H6X1SA1, genel amaçlı bir standart recovery diyotudur. 1200 V maksimum ters gerilim (Vr) ve 10 A DC ortalama doğrultulmuş akım (Io) ile tasarlanmıştır. Maksimum ileri gerilimi (Vf) 10 A'da 1.6 V olan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. Surface Mount paketlemesi ile sağlanan die formatında temin edilen komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 1200 V'da 27 µA ters sızıntı akımı (reverse leakage) ile karakterize edilen SIDC08D120H6X1SA1, güç kaynakları, endüstriyel dönüştürücüler ve elektrik şebekeleri uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Standart recovery tipi (>500ns) ile >200mA'de çalışmak üzere tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok