Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC06D120H8X1SA2
DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC06D120H8
SIDC06D120H8X1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC06D120H8X1SA2, 1200V ters gerilim kapasitesi ve 7.5A ortalama doğrultulmuş akım özelliklerine sahip genel amaçlı bir standart diyottur. Surface mount Die paketi içinde sunulan bu komponent, 1.97V (7.5A'de) ön gerilim düşüşü ile çalışır. -40°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında 27µA ters kaçak akımı gösterir. Yüksek gerilim güç uygulamalarında, AC-DC dönüştürme devrelerinde, endüstriyel beslemeler ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Standard recovery hızına sahip bu diyot, anahtarlama uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 7.5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.97 V @ 7.5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok