Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC06D120H6X1SA4
DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC06D120H6X1SA4
SIDC06D120H6X1SA4 Hakkında
SIDC06D120H6X1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 1.2kV ters voltaj kapasitesi ve 7.5A ortalama doğrultulmuş akım yeteneğine sahip general purpose diyottur. Standard recovery karakteristiğine sahip bu diyot, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve temas anahtarı uygulamalarında doğrultma işlevi görür. Surface mount Die paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum forward voltajı 1.6V @ 7.5A ve ters yön sızıntı akımı 27µA @ 1200V'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 7.5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 7.5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok