Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC06D120E6X1SA3
DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC06D120E6
SIDC06D120E6X1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC06D120E6X1SA3, genel amaçlı silikon diyot olup 1200V ters voltaj ve 5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Surface mount wafer (Die) paketinde sunulan bu standard recovery diyot, 1.9V forward voltaj ile çalışır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilen bu bileşen, güç kaynağı tasarımlarında, converterler ve inverterler gibi doğrultma uygulamalarında yer alır. 27µA ters sızıntı akımı ve 500ns'den fazla recovery time ile karakterize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok