Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC03D120F6X1SA1
DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC03D120F6
SIDC03D120F6X1SA1 Hakkında
SIDC03D120F6X1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1.2kV 2A kapasiteli genel amaçlı doğrultucu diyottur. Surface mount wafer (die) paketinde sunulan bu bileşen, 2A DC ortalama doğrultulmuş akım ve maksimum 2.1V ileri yönlü gerilim düşümü ile karakterize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu diyot, güç kaynakları, AC/DC konverterler ve endüstriyel elektronik uygulamalarında doğrultucu olarak kullanılır. Standart recovery tipi diyot olup 1200V ters yönlü gerilimde 27µA sızıntı akımı gösterir. Wafer formunda üretilen bu bileşen, yoğun entegrasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 2A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok