Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC01D120H6
DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC01D120H6
SIDC01D120H6 Hakkında
SIDC01D120H6, Infineon Technologies tarafından üretilen 1.2kV 600mA kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyodudur. Surface mount wafer paketi içinde sunulan bu diyot, 1.6V forward voltage ve 27µA reverse leakage karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen kompakt tasarımı, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler ve doğrultma uygulamalarında kullanılmaktadır. Standard recovery tipi yapısı sayesinde orta güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 600mA (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 600 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok