Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

SICU1060P-TP

SIC SCHOTTKY BARRIER , 10A ,650V

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SICU1060P

SICU1060P-TP Hakkında

SICU1060P-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyottur. 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 650V maksimum ters voltaj değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, ters kurtarma süresi olmayan (trr=0ns) hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 1.6V forward voltage @ 10A ile düşük enerji kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve doğrultma devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) 10A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 44 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6 V @ 10 A

Kaynaklar

Datasheet

SICU1060P-TP PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok