Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SICU0860P-TP
SIC SCHOTTKY BARRIER , 8A ,650V
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SICU0860P
SICU0860P-TP Hakkında
SICU0860P-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky barrier diyottur. 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine ve 650V ters gerilim dayanımına sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzeye monte paket ile sunulur. Maksimum 1.6V ileri gerilim düşümü ile -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. SiC teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time (trr) sunarak, anahtarlama kaybını minimize eder. Güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve yüksek frekans doğrultma uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 36 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok