Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SICU02120B-TP
1200V,2A,SIC SBD,TO-252 PACKAGE
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SICU02120B
SICU02120B-TP Hakkında
SICU02120B-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen 1200V/2A Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyotudur. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görür. 1.7V forward voltage ve çok düşük reverse leakage akımı (10µA @ 1200V) özellikleriyle verimli güç dönüştürme sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güneş enerjisi invertörleri, endüstriyel motor sürücüleri, elektrik araç şarj sistemleri ve yüksek frekanslı güç kaynaklarında kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde recovery time gerekli değildir, bu da anahtarlama kayıplarını minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 140pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok