Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SICRS50650WT
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SICRS50650WT
SICRS50650WT Hakkında
SICRS50650WT, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V reverse voltage ve 50A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan diyot, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 1.7V forward voltage düşüşü ve düşük reverse leakage akımı (500µA @ 650V) özellikleriyle, güç dönüştürücüleri, UPS sistemleri, endüstriyel uygulamalar ve renewable energy sistemlerinde tercih edilir. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde hızlı switching ve minimal reverse recovery time sunarak enerji verimliliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4nF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 50A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 50 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok