Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

SICRF101200

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

Paket/Kılıf
TO-220-2 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SICRF101200

SICRF101200 Hakkında

SICRF101200, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 1200V ters voltaj ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle yüksek güç doğrultma uygulamalarında kullanılır. 0 ns reverse recovery time özelliğiyle anahtarlama kaybını minimize eder ve enerji verimliliğini artırır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir. TO-220-2 Through Hole paketinde sunulur ve izole edilmiş tab tasarımı sayesinde ısı yönetimi kolaylığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 640pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 1200 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package ITO-220AC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 10 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok