Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SICRD6650TR
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SICRD6650
SICRD6650TR Hakkında
SICRD6650TR, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim dayanımı ve 6A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 1.8V ileri gerilim düşümü ve 0ns ters kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar ve 50µA ters sızıntı akımı ile düşük kaçak özelliği gösterir. Switch mode power supplies (SMPS), PFC devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 5V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok