Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SICRD10650CTTR
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SICRD10650CT
SICRD10650CTTR Hakkında
SICRD10650CTTR, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters gerilim kapasitesi ve 5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.7V ön gerilim düşümü ve sıfır reverse recovery time karakteristiği ile güç kaynakları, konvertörler, invertörler ve anahtarlamalı güç elektrik sistemlerinde verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 60µA ters sızıntı akımı ile düşük kaçak akım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok