Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SICR101200
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SICR101200
SICR101200 Hakkında
SICR101200, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 1200V reverse voltaj kapasitesi ve 10A ortalama doğrultulmuş akım ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time (trr) özelliği sayesinde anahtarlama hızında avantaj sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. TO-220-2 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltajlı DC uygulamalar, PFC devreleri, inverterler ve motor sürücülerinde yaygın olarak tercih edilir. 1.8V forward voltage düşüşü ve 100µA leakage akımı özellikleri ile verimli doğrultma işlevi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 640pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok