Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SICF1060P-BP
SIC SCHOTTKY BARRIER , 10A ,650V
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Isolated Tab
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SICF1060P
SICF1060P-BP Hakkında
SICF1060P-BP, Micro Commercial Components tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diyotudur. 10A ortalama doğrultulmuş akım ve 650V maksimum ters voltaj kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde gelen bu bileşen, zero recovery time özelliğine sahip olup, anahtarlamalı güç kaynakları, invertörler, AC/DC dönüştürücüler ve güç elektronikleri sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 1.6V forward voltaj düşüşü ile verimli enerji dönüştürme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 44 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | ITO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok