Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SICB1060P-TP
SIC SCHOTTKY BARRIER , 10A ,650V
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SICB1060P
SICB1060P-TP Hakkında
SICB1060P-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyottur. 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 650V maksimum ters gerilim değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.6V @ 10A ileri gerilim düşüşü ve 0 ns ters kurtarma zamanı (trr) ile verimli doğrultucu işlemi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Güç kaynakları, invertörler, solar paneller ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 44 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok