Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SICB0860P-TP
SIC SCHOTTKY BARRIER , 8A ,650V
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SICB0860P
SICB0860P-TP Hakkında
SICB0860P-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen 8A/650V Silicon Carbide Schottky diyottur. SiC teknolojisi ile üretilen bu bileşen, ultra düşük reverse recovery time (0 ns) sağlayarak yüksek frekanslı uygulamalarda verimli çalışır. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketlemesi ile tasarlanmıştır. 1.6V forward voltage ve 36µA reverse leakage karakteristikleri ile güç kaynakları, inverterler, PFC devreleri ve fotovoltaik sistemlerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 36 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok