Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIC1060P-BP
SIC SCHOTTKY BARRIER , 10A ,650V
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIC1060P
SIC1060P-BP Hakkında
SIC1060P-BP, Micro Commercial Components tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyotudur. 10A ortalama doğrultulmuş akım ve 650V ters voltaj kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time (trr) özelliğine sahip olup, anahtarlama hızında ve verimlikte geleneksel silikon diyotlarından üstündür. 1.6V @ 10A ileri voltaj düşümü ve 44µA @ 650V ters sızıntı akımı ile karakterize edilir. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 44 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok