Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIB914DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6L Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIB914DK
SIB914DK-T1-GE3 Hakkında
SIB914DK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK SC-75-6L yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 8V dren-kaynak gerilimi ve 1.5A sürekli dren akımı özellikleriyle kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. 113mOhm dren-kaynak direnci (RDS(On)) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 2.6nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 3.1W maksimum güç dağılımı ile güvenilir performans sunar. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 113mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok