Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIB912DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6L Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIB912DK
SIB912DK-T1-GE3 Hakkında
SIB912DK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özellikleri ile düşük gerilim uygulamalarında kullanıma uygundur. 20V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 1.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir. 3.1W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. PowerPAK SC-75-6L paketinde sunulan bu bileşen, gömülü sistemler, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasındaki işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok