Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIB911DK-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6L Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIB911DK
SIB911DK-T1-GE3 Hakkında
SIB911DK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V (Vdss) drenaj-kaynak gerilimi ve 2.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-75-6L yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 295mΩ (4.5V, 1.5A'de) Ron değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sunar. 4nC gate charge ve 115pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Analog anahtarlar, güç yönetimi devreleri ve sinyalleme uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 3.1W güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok