Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIB911DK-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6L Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIB911DK
SIB911DK-T1-E3 Hakkında
SIB911DK-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 2.6A sürekli dren akımı kapasitesi bulunmaktadır. PowerPAK® SC-75-6L paketinde sunulan bu bileşen, düşük kapı yükü (4nC @ 8V) ve düşük on-resistance (295mOhm @ 1.5A, 4.5V) özellikleriyle karakterizedir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, analog anahtarlama, güç yönetimi uygulamaları, ses sistemleri ve portable cihazlarda kullanılmaktadır. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren kompakt tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok