Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIB900EDK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6L Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIB900EDK
SIB900EDK-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIB900EDK-T1-GE3, dual N-channel MOSFET transistörü olup Logic Level Gate özelliğine sahiptir. 20V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SC-75-6L yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 225mOhm (4.5V, 1.6A'da) on-direnci ve 1.7nC gate charge değerleriyle hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok