Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA975DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA975DJ
SIA975DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA975DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 12V Drain to Source Voltage (Vdss) ile çalışır ve 25°C'de maksimum 4.5A sürekli drain akımı sağlayabilir. PowerPAK SC-70-6 Surface Mount paketinde sunulan bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 41mOhm'luk düşük RDS(On) değeri ile güç kaybını minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, load switching ve kompakt tasarım gerektiren endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 26nC gate charge ve 1500pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok