Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA950DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA950DJ
SIA950DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA950DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 190V Drain-Source voltajında 950mA sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK® SC-70-6 dual paketinde sunulan komponent, 3.8Ω (4.5V, 360mA) düşük on-direnci ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 4.5nC gate yükü ve 90pF input kapasitansı hızlı komütasyon özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışan bu MOSFET, AC adaptörleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, eski tasarımların bakım ve onarımında gerekli olabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 950mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 190V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 100V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok