Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA938DJT-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA938DJT
SIA938DJT-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIA938DJT-T1-GE3, dual N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 4.5A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 21.5mΩ düşük RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre devrelerde sinyalleme, motor kontrolü, güç dağıtımı ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok