Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA936EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA936EDJ
SIA936EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA936EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 4.5A sürekli drain akımı sağlayan bu komponent, PowerPAK SC-70-6 Dual paketinde sunulmaktadır. Logic Level Gate özelliğiyle düşük gerilim sinyal kontrolüne uygun olan transistör, 34mOhm (4A, 4.5V) on-state direnci ve 1.3V eşik gerilimi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SIA936EDJ, IO kontrol devrelerinde, LED sürücülerinde ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount montajı ile kompakt tasarımlar için uygun bir çözümdür. (Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok