Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA929DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA929DJ
SIA929DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA929DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 4.5A sürekli drain akımı ile küçük sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği, düşük gate voltajlarında çalışmayı sağlar. 64mOhm on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. PowerPAK® SC-70-6 yüzey monte paket tipi sayesinde kompakt devre tasarımları mümkündür. Endüstriyel, tüketici elektronikleri ve iletişim cihazlarında şalter ve sürücü devrelerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir işlem sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok