Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIA928DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Seri / Aile Numarası
SIA928DJ

SIA928DJ-T1-GE3 Hakkında

SIA928DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ile çalışabilir ve maksimum 4.5A sürekli drain akımı sağlar. 25mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve düşük voltaj lojik kontrolü gerektiren sistemlerde tercih edilir. Düşük gate charge (4.5nC) ve input capacitance (490pF) özellikleri hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status Active
Power - Max 7.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok