Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA923EDJ-T4-GE3
MOSFET P-CH 20V SC-70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA923EDJ
SIA923EDJ-T4-GE3 Hakkında
SIA923EDJ-T4-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK® SC-70-6 yüzeye monte paketinde sunulan bu komponent, 20V Vdss derecelendirilmesi ile düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5A sürekli drenaj akımı ve 54mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi ve anahtar devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Kompakt boyutu ve dual yapısı sayesinde space-constrained tasarımlarda yer kazandırır. Mobil cihazlar, batarya yönetim sistemleri ve güç dağıtım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok