Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIA923EDJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Seri / Aile Numarası
SIA923EDJ

SIA923EDJ-T1-GE3 Hakkında

SIA923EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. SC-70-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 20V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı ile çalışır. Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 54mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. 25nC gate yükü hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Maksimum 7.8W güç tüketimine sahiptir. Bu bileşen, analog switcher uygulamaları, multiplexer devreleri, power management sistemleri ve diğer anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 8V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status Active
Power - Max 7.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok