Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA922EDJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 30V SMD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA922EDJ
SIA922EDJ-T4-GE3 Hakkında
Vishay SIA922EDJ-T4-GE3, dual N-channel MOSFET transistörleri içeren bir dizin bileşenidir. 30V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 4.4A sürekli akım yeteneğine sahiptir. PowerPAK® SC-70-6 SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük on-direnç (RDS(on)) değeri sayesinde güç yönetimi, LED sürücüleri, anahtarlama devreleri ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Kompakt yapısı nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok