Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA922EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA922EDJ
SIA922EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA922EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip olup, 64mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketinde üretilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, küçük güçlü devrelerde kullanılan bu bileşen, 12nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar. Compact paketaj sayesinde alan sınırlaması olan tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok