Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA921EDJ-T4-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA921EDJ
SIA921EDJ-T4-GE3 Hakkında
SIA921EDJ-T4-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 20V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile çalışır. 59mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. PowerPAK® SC-70-6 paketinde sunulan bu entegre, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Analog switch uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde, batarya yönetim sistemlerinde ve düşük gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisi ile PCB üzerine doğrudan montajı mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok