Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA920DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA920DJ
SIA920DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA920DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 8V drain-source geriliminde 4.5A sürekli akım kapasitesine ve 27mOhm RDS(on) değerine sahiptir. 7.8W maksimum güç disipasyonu ile düşük sinyal seviyesi anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SC-70-6 Dual paketinde SMD olarak monte edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) kararlı performans gösterir. Anahtarlama hızı ve düşük kapı yükü özelliği sayesinde hızlı kontrol devreleri, LED sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok