Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA918EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA918EDJ
SIA918EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA918EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 4.5A sürekli drain akımı ve 58mΩ on-direnç (Rds On) değerleriyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SC-70-6 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük kapı yükü ve kompakt tasarımıyla mobil cihazlar, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok