Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIA917DJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Seri / Aile Numarası
SIA917DJ

SIA917DJ-T1-GE3 Hakkında

SIA917DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltajında 4.5A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu transistör, düşük on-resistance (110mOhm @ 4.5V) ve minimum gate charge (9nC) özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun olarak tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmesi nedeniyle geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlama diyotları ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmış durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status Obsolete
Power - Max 6.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok