Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA915DJ-T4-GE3
MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA915DJ
SIA915DJ-T4-GE3 Hakkında
SIA915DJ-T4-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 3.7A (Ta) / 4.5A (Tc) sürekli drain akımına sahiptir. 87mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 1.9W (Ta) / 6.5W (Tc) maksimum güç tüketimi karakteristiğine ve -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Gate charge 9nC @ 10V olup, gating işlemlerinde hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve analog sinyal işlemede kullanıma uygun tasarlanmıştır. Bileşen güncel üretimde bulunmamakta olup, arşiv veya restorasyonprojeleri için referans alınabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok