Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA915DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA915DJ
SIA915DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA915DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajına ve 4.5A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, Logic Level Gate özelliğiyle düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. PowerPAK® SC-70-6 paketinde sunulan kompakt yapısı, 87mOhm RDS(On) değeriyle güç tüketimini minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve maksimum 6.5W güç saçabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve düşük sinyal seviyesi anahtarlama gerektiren taşınabilir cihazlarda kullanılır. Düşük gate charge (9nC @ 10V) ve düşük input kapasitansi (275pF @ 15V) değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 6.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok